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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光lED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明in组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39
腾辉光电科技有限公司开发的各系列lED路灯，是多款节能、环保、高效、长寿命的路灯，采用光效高达90lm/w以上的优质lED芯片，高效的散热结构与二次光学设计，最大效率地将le
http://blog.alighting.cn/bdthgd/archive/2010/4/7/39500.html2010/4/7 9:22:00
中微营口公司项目总投资10亿元，其中5亿元为中微公司直接投资，另5亿元则通过emc合作模式投入。该项目占地16万平方米，建设期三年。项目达产后，可形成年产芯片4亿颗、白光lED单
https://www.alighting.cn/news/201159/n940731866.htm2011/5/9 18:01:20
行了具体介绍。提出lED的封装设计应与芯片设计同时进行,并且需要对光、热、电、结构等性能统一考虑。在封装过程中,虽然材料(散热基板、荧光粉、灌封胶)选择很重要,但封装工艺(界面热阻、封
https://www.alighting.cn/resource/20110423/127700.htm2011/4/23 21:33:11
过去 lED 业者为了获利充分的白光 lED 光束，曾经开发大尺寸 lED 芯片试图藉此方式达成预期目标，不过实际上白光 lED 的施加电力持续超过 1w 以上时光束反而会下
https://www.alighting.cn/resource/20110418/127731.htm2011/4/18 15:21:51
全球白光国际大厂切入一般照明持续有进展，cree自从2009年第三季度开始量产业界最高光通量在350ma电流驱动下可以达到139lm的xlampxp-g lED，芯片尺寸3.4
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127799.htm2011/3/31 16:37:31
当前,lED日光灯 市场非常活跃,生产厂家主要分成三类：一类是原来做lED芯片 的工厂,顺势向下游渗透,对电路知识和lED日光灯电源 的了解不多；二类是原来做普通照明的工厂,进
https://www.alighting.cn/resource/20101129/128187.htm2010/11/29 10:52:38
http://blog.alighting.cn/bdthgd/archive/2010/4/26/41846.html2010/4/26 10:38:00
http://blog.alighting.cn/bdthgd/archive/2010/4/27/42125.html2010/4/27 11:44:00
