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构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262713.html2012/1/29 0:39:24
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262634.html2012/1/29 0:34:44
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 gan 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
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