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ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而gan(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
→钝化→划片→测试→包装。 1.2主要制造工艺 采用thomasswanccs低压mocvd系统在50mmsi(111)衬底上生长gan基mqw结构。使用三甲基镓(tmg
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127028.html2011/1/12 16:37:00
将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan led衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管（led）衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
现，采用了氮化镓。随后的1998年，融合红绿蓝led或涂有荧光粉的蓝光led制造出了白光led,这是一项充满希望的高效常规照明技术。在努力研发超高亮度白光led的同时，研究人员还在努
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126879.html2011/1/11 0:29:00
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（gan）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
值已超过50亿元，有些企业的产值也达到10亿元，分布在上中下游产业链上的企业有300多家，其中氮化镓蓝、绿、白发光二极管芯片及相关产品，蓝宝石衬底晶体生产，半导体照明项目已经达到国
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126737.html2011/1/9 19:54:00
0年。主流技术如外延接触层、外延覆盖层、外延量子阱技术、超晶格技术、氮化镓衬底技术、芯片微结构技术、钝化技术等相差10年左右。在下游产业中，普遍相差10年左右。另外，与外国相比，我
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
、绿、青、橙、紫、白色的光。led照明产品就是利用led作为光源制造出来的照明器具。 led半导体发光介绍：发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/4/125756.html2011/1/4 17:38:00
