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w，工作电流40ma；用于ac220v功率在3.3w-4w，工作电流20ma（图4）。led晶粒直接邦定在铜铝基板上。引脚如图5所示。图4：首尔半导体的ac led图5：ac led引
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
要很高的温度来打断nh3之n-h的键解，另外一方面由动力学仿真也得知nh3和Mo gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。 led外延片工艺流程如下： 衬底 - 结构设计
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
目前，led应用的散热问题是led厂家最头痛的问题。散热基板是一种提供热传导的媒介，led→散热基板→散热模块，它可以增加led底部面积，增加散热面积，主要由铜箔电路/陶瓷粉末
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261540.html2012/1/8 21:48:56
率指标控制必须非常严格，这是封装业的重中之重。以往，制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面：一是关键的封装原材料，如基板材料、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261533.html2012/1/8 21:48:39
由于led技术的进步，led应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光，其余
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261473.html2012/1/8 21:40:12
体的制作技术，应该可以克服上述困扰。如上所述提高施加电力的同时，必需设法减少热阻抗、改善散热问题，具体内容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261469.html2012/1/8 21:39:20
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261468.html2012/1/8 21:39:16
粉 四、蓝led+znse单结晶基板 目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸（nb、lcd-tv等）显示屏光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14
指在led负载端和220v输入端有直接连接，因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离，通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261457.html2012/1/8 21:36:20
片温度不超过60℃。3．连接方法： 大功率led基板与散热片连接时请保证两接触面平整，接触良好，为加强两接触面的结合程度，建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
