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led开山鼻祖:警惕led照明闭门造车

led和oled将开创照明领域的未来——蓝色led发明人、目前活跃在GaN发光组件研究第一线的中村修二和oled发明人城户淳二出席了讨论,认为应警惕led照明闭门造车。

  https://www.alighting.cn/news/2009311/V19020.htm2009/3/11 10:26:59

我国led产业上游环节发展提速

led外延作为led产业链的核心环节,从2009年开始,在中国下游应用市场高速发展的带动下,中国GaN mocvd数量开始爆发性增长,使得中国led外延产业得到快速发展。

  https://www.alighting.cn/news/20111117/n550635801.htm2011/11/17 10:35:44

激光照明将取代led照明?中村修二如是说

中村说他“在GaN的蓝色led领域是新人”,但他获得的成果已赶上并超越了赤崎与天野的研究小组率先得出的各种数据。其原动力就是“双流mocvd”。

  https://www.alighting.cn/news/20141211/86649.htm2014/12/11 9:48:23

英国政府启动novelels计划

2007年7月26日,英国商业、企业和改革部(dberr)已发起名为 novelels的计划,致力于开发新型GaN芯片技术,将固态led光源商业化。

  https://www.alighting.cn/news/20070727/104006.htm2007/7/27 0:00:00

ucsb:俄歇复合为led效率下降的主要原因

美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(GaN)为主的led,俄歇复合(auger recombination)是其效率下

  https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00

中村修二教授作为首尔半导体技术顾问

中村修二教授1993年在日本日亚化工(株)就职期间,开发了被认为是20世纪不可能实现的高亮度蓝色led,世界上最早以GaN base成功实现了量产和开发,被称为led行业的爱迪生。

  https://www.alighting.cn/news/20100324/104811.htm2010/3/24 0:00:00

ucsb与三菱化学联合发表蓝光led

在美国拉斯韦加斯举办的氮化物半导体国际学会「icns-7」上,加州大学圣巴巴拉分校(ucsb)与三菱化学联合发表了利用GaN结晶非极性面的蓝色led。

  https://www.alighting.cn/news/20071008/105060.htm2007/10/8 0:00:00

飞利浦lumileds使用veeco mocvd设备

日前,飞利浦lumileds公司已选择美国维易科公司(veeco instruments inc.)的turbodisc? k465? 氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉

  https://www.alighting.cn/news/20090826/106482.htm2009/8/26 0:00:00

veeco于2010年q2接获台厂华上数台mocvd设备订单

美国设备大厂veeco instruments inc.日前宣布台厂华上于2010年q2向其订购了数台turbodisc k465i氮化鎵(GaN)与e475砷化磷(as/

  https://www.alighting.cn/news/20100720/117794.htm2010/7/20 0:00:00

第三代半导体崛起 中国照明能否弯道超车?

近年,以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目,成为全球半导体研究前沿和热点,中国也不例外地快马加鞭进行部署。

  https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21

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