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在照明行业，人们对于led光源的调光往往有个误区，即认为对比其他光源（荧光灯，金卤灯和钠灯等）的调光led相对容易的多。而现实是led光源调光技术在工程中的应用中往往不尽人意，为什
https://www.alighting.cn/resource/20120319/126664.htm2012/3/19 10:28:53
现有led 补光系统在环境适宜性监测、光源控制和植物不同阶段需光量差异性考虑不足，造成红蓝光补光不足和补光过度并存。针对以上问题提出了一种设施农业智能补光系统，支持定义植物不同生长
https://www.alighting.cn/resource/20120310/126685.htm2012/3/10 15:31:41
在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上，中国led 照明产业产品线布局完善，在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si
https://www.alighting.cn/resource/2012/10/8/145159_98.htm2012/10/8 14:51:59
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
与其他两种衬底的led 芯片相比,以SiC 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31
则使用蓝宝石、SiC和si等作为基
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
