站内搜索
按要求包装、入库。二、封装工艺1.led的封装的任务是将外引线连接到led芯片的电极上,同时保护好led芯片,并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。2.led封
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
光,又在器件输入功率上有很大提高。目前单芯片1w 大功率led 已产业化,3w、 5w, 甚至10w 的单芯片大功率led 也已推出,并部分走向市常这使得超高亮度led 的应用面不
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
人忽略。后者也被称为“simo”,即单电感多输出,未来,随着白光led背光被更复杂的rgb同类产品所取代,预期这种技术将扮演越来越重要的角色。led简介及工作原理便携式产品的发展趋
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229957.html2011/7/17 23:35:00
用范围。根据不同的芯片和应用的需要,可以选择不同的激发和发射峰的该系列荧光粉。硫化物系列荧光粉的最大缺点在于：性质不够稳定、光衰大。主要原因在于：在使用过程中,硫容易析出,二价铕容易
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
?;2003/3,巴可公司(barco)并购北京利亚德电子科技有限公司,建立了80％－20％的合资公司。?;2003/3,巴可并购美国犹他州为体育应用生产全彩和单彩显示设备,讯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00
制晶圆膜厚度,得到优良的晶圆材料,但生长的速度较慢,对于较厚要求的晶圆生长耗时过长,不能满足大规模生产的要求。对于光电器件,特别是led、ld芯片,一般都采用用mocvd技术。这是因
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
早期在小积体电路时代,每一个6?嫉耐庋悠?上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8?嫉耐庋悠?上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动蓓投资数百亿,但
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
