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、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
多功率型led的驱 动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片 倒装结构,选用导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
而失效。因此,对于大工作电流的大功率led 芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结构,加速散热；甚至设计二次散热装
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热；甚至设计二次散热装置，来降
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
流可以达到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
型led的驱动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
至本身导热片(tjs)温升为δt＝6~15℃之间，另外led光效率与工作温度成反比性能特性，每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果，与一般宣传led可工作于100℃寿命可
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232810.html2011/8/19 0:17:00
