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以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
有两种汞齐，主汞齐位于泡壳底部的短管中，一旦灯稳定工作它就提供汞原子。辅助汞齐放置在一个紧贴凹腔的铟网上，并使铟网与放电热接触。一旦通电汞很快从辅助汞齐中蒸发出来，在10s内就可以使
http://blog.alighting.cn/emengsd/archive/2008/10/9/655.html2008/10/9 0:17:00
量以光的形式激發釋出。自從1960年代利用gaasp液相外延技術生產出第一顆實用的紅光發光二極體，直到1993年日本日亞化學公司發展出氮化鎵(gan)發光二極體，突破藍光發光二極體
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
为热门的是ingan、a1gan、gan等ⅲ族氮化物led的应用研究，该类管发射出的蓝绿光、蓝光、紫外光既可与红光、绿光发光二极管合成为白光，也可直接用来激发荧光粉发射出白光。因
https://www.alighting.cn/resource/2009116/V993.htm2009/11/6 14:25:58
续研发基础上，选择不断的进行创新，最新发布3款led荧光粉新产品，具体如下： （1）氮化物红粉0762新产品，目前成为有研稀土亮度最高的红粉，且高温、高湿的稳定性得到很好的解决，完
http://blog.alighting.cn/17230/archive/2013/5/25/317938.html2013/5/25 12:17:06
晶元（episar）广镓（huga）新世纪光电（genesis photonics）光电（arima）泰谷光电（tekcore） 联胜 （hpo）汉光（hl）光磊:ed 鼎元:t
http://blog.alighting.cn/hfamedz/archive/2011/5/26/180361.html2011/5/26 10:26:00
利仍有5.47亿元，但同样受累于转投资广镓和泰谷的亏损，扣除业外亏损后，单季的税后纯益仍有1.29亿元，不过累计前三季的税后亏损为858万元，与晶电期待前三季转亏为盈差临门一
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/31/295651.html2012/10/31 21:44:07
s（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具
http://blog.alighting.cn/www.msd-led.cn/archive/2012/11/6/296365.html2012/11/6 11:13:17
到了很大的提高。二、稀土铝(镓)酸盐深红色荧光粉三价铈激活的稀土铝(镓)酸盐荧光粉作为吸收蓝光而发射黄光的荧光粉,现已被广泛应用于蓝光激发荧光粉制造的白光led中。在三价铈激活的稀土
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式都是朝着两个方向，其一为寻找高散热系数之基板材料，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基板，其中矽及碳化矽基板之材
http://blog.alighting.cn/150981/archive/2012/10/5/292068.html2012/10/5 9:36:28
