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伴随着高功率 led技术迭有进展，led尺寸逐渐缩小，热量集中在小尺寸芯片内，且热密度更高，致使led面临日益严苛的热管理考验。为降低 led热阻，其散热必须由芯片层级(chi
https://www.alighting.cn/resource/20111101/126937.htm2011/11/1 10:53:43
小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(eqe)比老化前低;老化前后eqe衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
构表征及原子力显微镜(afm)的形貌表征,发现折射率的变化主要归因于薄膜堆积密度的改
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
c;缺陷密度在102/cm2水平,纯度高于99.995%,常温下晶体在3～5μm波段红外透过率高于85%;用超声振动加工技术对大尺寸蓝宝石单晶进行加工,设计了专用金刚石磨削复合刀
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127224.htm2011/8/31 15:25:52
新频率，高显示密度的显示效果;另一方面又努力强调低成本，采用一些技术参数达不到设计要求的部件。这种做事方式势必导致一种相反的结果，实际上led显示屏的显示效果与期望的显示效果背道而
https://www.alighting.cn/resource/20110808/127335.htm2011/8/8 13:18:34
p chip的电流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底(为145w/mk)，散热效果更优;而且在pn 结与p电极之间增加了一个反光层，又消
https://www.alighting.cn/resource/20110718/127423.htm2011/7/18 15:14:26
”的水平，与合作单位在sic衬底上制备的微波gan/algan hemt器件的输出功率密度达到５．５w/mm的水平，这是国产sic半绝缘衬底第一次得到具有微波特性的器件，实现了从si
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
素排列的技术。该技术能够通过降低各色子像素的电流密度，使oled面板的寿命“延长到完全满足便携产品用途的需要”（美国clairvoyante首席执行官joel pollack）。另
https://www.alighting.cn/resource/20071026/128550.htm2007/10/26 0:00:00
h25等几种常用规格产品，分别表示显示屏的像素间距为10mm、12mm、16mm、20mm、25mm。显示屏像素密度越高那么显示屏的显示清晰度越高，同时其造价也相对较高。用户应根据不
http://blog.alighting.cn/xabosheng/archive/2010/5/24/45460.html2010/5/24 12:18:00
pe （聚乙烯）具有良好的化学稳定性, 可以抵抗大部份酸, 碱, 有机溶液以及热水的侵蚀. 电气绝缘性好, 易焊接。 特性：密度低；韧性好（同样适用于低温条件）；拉伸性好；电气和
http://blog.alighting.cn/hjhsjclyxgs/archive/2010/6/21/51548.html2010/6/21 17:48:00
