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2013年led专利发展三大猜想

出的发光效率超过120lm/w硅大功率led芯片产品,让我们彻底扬眉吐气了一把。ledinside认为,在蓝宝石衬底led的领域里,中国的led企业几乎没有核心技术专利,且一直处

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/2/17/309685.html2013/2/17 13:23:58

万邦光电20周年庆典圆满落幕

d50强”第18位,再到2012年跃居中国光电行业十强,综合排名第七位。目前,万邦光电的出口量排名全行业第一,整灯光效全球第一,陶瓷封装技术全球居首。新品纷呈彰显强大技术实力led属

  http://blog.alighting.cn/56721/archive/2013/2/2/309270.html2013/2/2 15:58:07

led照明灯具可靠性分析

期寿命试验,目前的做法本上形成如下共识:因gan的led器件开始的输出光功率不稳定,所以按美国assist联盟规定,需要电老化1000小时后,测得的光功率或光通量为初始值。之后

  http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/2/2/309248.html2013/2/2 8:43:51

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

中国成功研制出led室内照明用mcob封装材料与技术

1月31日,在福建莆田召开的中国科学院“led室内照明用低成本高效率改进型mcob封装材料与技术集成”成果鉴定会上,鉴定委员会专家组一致认为,该技术拥有完整的自主智慧财产权,且已实

  https://www.alighting.cn/news/20130201/98880.htm2013/2/1 11:16:34

氧原子对gan光电特性影响研究

gan是优越的iii-v族直接带隙半导体材料,是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一,其在光电领域有着极为重要的应用,已经引起了广泛的研究。gang光电子器件的制备和工

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05

led的cob(板上芯片)封装流程

b 陶瓷 cob 封装、 铝板 mcob 封装等形

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309122.html2013/1/31 10:26:53

设计高效高可靠led灯具的五个忠告

i的linkswitch-ph就可以省去电解电容,pi的单级pfc/恒流设计可以让设计师省去大容量电容,在输出电路中,可以用高耐压陶瓷电容来代替电解电容从而提升可靠性,“有的人在设计两级电路的时

  http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/31/309121.html2013/1/31 10:24:40

氧化对ganled透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

天安门地区夜景照明改造工程设计

面温度较高(80℃),由于子母灯中的子灯具离琉璃瓦很近,致使一些琉璃瓦已烤裂;应从技术上更新。 图2 天安门改进前的实景照片b 改进方法:在原有灯位用par20~35w陶瓷金属卤化

  http://blog.alighting.cn/liaoqiongkai/archive/2013/1/28/308882.html2013/1/28 23:27:02

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