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射模型拟合椭偏参数,计算了不同温度下制备的zno薄膜在400~800nm波长范围内的折射率(n)和消光系数(k),发现基片温度对薄膜光学特性有很大的影响。结合x射线衍射(xrd)的结
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
日前，恩智浦半导体(nxp semiconductors n.v.)推出基于greenchip?技术的紧凑非调光led灯解决方案——高效高压led驱动器集成电路SSL2108x，
https://www.alighting.cn/pingce/20111018/122719.htm2011/10/18 10:29:53
用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
法制备了未掺杂zno薄膜。通过x射线衍射、拉曼光谱、光致发光光谱和吸收光谱对其结构和光学性质进行了表
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
高效高压led驱动器集成电路SSL2108x。SSL2108x平台为led灯制造商带来了便利，可满足100v、120v和230v市场低本高效应用的设计需求，驱动器最大转换效率高
https://www.alighting.cn/news/20111017/114655.htm2011/10/17 9:49:07
段电磁波的波长约为380～780nm，相应的频率为800×1012～400×1012hz，覆盖着电磁频谱一个相当宽（从x射线到远红外）的范围，只是波长比普通无线电波更短。人类肉眼所
http://blog.alighting.cn/forway/archive/2011/10/15/244830.html2011/10/15 18:26:03
们称之为led阵列，例如他们在2009年推出的一颗30w的led阵列bxra-c2000实际上是把25个1w的led在芯片上5并5串而得来，其尺寸为25.3x22.3mm发光面的直
http://blog.alighting.cn/binxuegandan/archive/2011/10/14/244609.html2011/10/14 8:39:01
