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采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用X射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
使用扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
1 cie1931 色度图 图1 为cie 标准色度图，其中，翼型曲线上的点为单色光，并标注有波长，曲线上的点对应的颜色饱和度最高。e 点( X = y = z ) 为等能白
http://blog.alighting.cn/mithridates/archive/2011/9/13/236297.html2011/9/13 21:21:08
近日，恩智浦恩半导体(nXp)在深圳成功召开照明方案推广会，隆重发布驱动芯片及其整体解决方案。
https://www.alighting.cn/news/20110909/100218.htm2011/9/9 11:22:14
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经X射线衍射(Xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
采用X射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
本系列产品体积小(30X30X11mm, 106.2X32.9X21.5mm, 48.9X42X20mm)，易于装进led灯具，也可特别为客户的灯具尺寸量身订做、或客制定电压或
https://www.alighting.cn/news/20110908/114838.htm2011/9/8 11:39:25
乎不是 用来取代ipad 2，有可能是一款定位在高阶、专业的ipad（ipad pro?）。就萤幕规格来看，新款的ipad比照iPhone 4以提升2倍分辨率（2048×153
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/9/7/235968.html2011/9/7 21:45:28
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用X射线反射率测量、X射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
