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正确理解led显示屏的主要性能指标

1998年开始,历经五年,在led-display.cnledw.com/"led显示屏专委会(现为中国光协led显示屏分会)组织努力下, 《led显示屏测试方法》行业标准(以

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232793.html2011/8/18 23:49:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

正确理解led显示屏的主要性能指标

1998年开始,历经五年,在led-display.cnledw.com/"led显示屏专委会(现为中国光协led显示屏分会)组织努力下, 《led显示屏测试方法》行业标准(以

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258593.html2011/12/19 11:02:03

正确理解led显示屏的主要性能指标

1998年开始,历经五年,在led-display.cnledw.com/"led显示屏专委会(现为中国光协led显示屏分会)组织努力下, 《led显示屏测试方法》行业标准(以

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261475.html2012/1/8 21:40:15

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

正确理解led显示屏的主要性能指标

1998年开始,历经五年,在led-display.cnledw.com/"led显示屏专委会(现为中国光协led显示屏分会)组织努力下, 《led显示屏测试方法》行业标准(以

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262647.html2012/1/29 0:35:29

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

正确理解led显示屏的主要性能指标

1998年开始,历经五年,在led-display.cnledw.com/"led显示屏专委会(现为中国光协led显示屏分会)组织努力下, 《led显示屏测试方法》行业标准(以

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271749.html2012/4/10 23:30:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

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