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晶电负责人:2011年扩产幅度将达3成

晶电相关负责人指出,晶电2011年扩产幅度将达3成,其中南亚光电、晶电与光宝合作的常州厂及晶电台湾厂均为扩产范围。晶电集团当中包含的广、泰谷也都有一定程度的扩产计划,高亮度蓝

  https://www.alighting.cn/news/20101214/115686.htm2010/12/14 9:33:53

led外延片生长基本原理

学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于gan(氮化)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00

科学家利用新的制造技术得到纳米紫外led

d对于数据存储和生物传感非常关键。由氮化铝、氮化氮化铟等半导体构成的纳米线是制造这种led的理想材料,但是nist科学家abhishek motayed说:“目前led使用的

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00

高效低光衰led用红色荧光粉的研制

在粉体制备后期,进行表面处理试验。通过辅助剂的添加和表面处理,有效地减缓了粉体的潮解、氧化和硫的析出,荧光粉的稳定性得到了很大的提高。 2稀土铝()酸盐深红色荧光粉 三价铈激

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00

led芯片制造流程

随着技术的发展,led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵(gan)基的外延片(外延片),外延片所

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

晶能光电:硅衬底led芯片产业化初见成效

晶能光电(江西)有限公司董事长江风益: 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片,年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化基半导体发光材料领域,晶能光电创造性发

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00

oled的关键零组件及材料

d材料系统为主,只有25家左右厂商采用高分子oled材料系统。 oled的关键元件包括ito导电玻璃、小分子有机材料、封装相关材料、高纯度金属材料、低温多晶tft技术及驱动i

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00

[原创]简介国内led 产业七大基地

0亿元,有些企业的产值也达到10亿元,分布在上中下游产业链上的企业有300多家,其中氮化蓝、绿、白发光二极管芯片及相关产品,蓝宝石衬底晶体生产,半导体照明项目已经达到国内先进水

  http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/13/120436.html2010/12/13 16:22:00

led选择经验总结

牌的 (如cree,日亚等), 也有中国台湾的(如广,晶元等)。 不同的品牌价格相差也很远。 7、led晶片大小也决定了led质量和亮度,我们在选择的时候也尽量选择大一

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120408.html2010/12/13 14:42:00

三菱化学液相沉积法造氮化(gan)晶体

据来自于日本经济新闻方面的消息,三菱化学与蓝光led之父中村修二已成功运用液相沉积法生产出氮化(gan)晶体。

  https://www.alighting.cn/news/20101209/116107.htm2010/12/9 9:11:07

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