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业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有GaN基蓝、绿光led、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优
https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
2月26日，旭瑞光电股份有限公司led外延芯片项目在佛山市南海经济开发区奠基，专业设计和生产led外延、高亮度大功率芯片，预计2013年全面投产后月生产led芯片3.8亿个。
https://www.alighting.cn/news/20100226/103650.htm2010/2/26 0:00:00
p1厂试产3吋qvga级am oled产品，该产品将采用ltps基板，以实现高分辨率，并将采用新开发的有机物质，以提升速
https://www.alighting.cn/news/20070927/118201.htm2007/9/27 0:00:00
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
晶长膜领域中，要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合，基于发光元件高辉度要求，不断增大发光元件的发光面积，随着该面积变大，消费电力也随着急遽暴
https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00
led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”，这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹
https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39
2018年2月23日，松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度，可以进一
https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54
日本碍子称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透
https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文，试制出利用GaN系半导体的红光led组件。藤原康文教授介绍，利用GaN系半导体的蓝光led组件及绿色led组件现已达
https://www.alighting.cn/news/20090708/93786.htm2009/7/8 0:00:00
