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型led封装技术主要应满足以下两点要求：①封装结构要有高的取光效率；②热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。功率型led所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
由于货币紧缩政策影响，中国led企业的财政补贴金额取得不易，影响扩产进度，加上整体终端销售不振与芯片价格大幅下降等因素，部分led芯片厂商产能利用率下降至五成，生产用机台转为工程研
https://www.alighting.cn/news/20110718/90277.htm2011/7/18 10:15:34
近年来，我国半导体照明市场发展迅速，资金纷纷涌入。据业内人士透露，尽管目前我国白光发光二极管产业发展比较快，但关键设备及材料的严重依赖进口，比如金属有机化学气相沉积、等离子刻蚀机等
https://www.alighting.cn/news/20110718/90279.htm2011/7/18 9:55:28
般的方法很难制备单晶体材料,目前制造inn薄膜最常用的方法是mbe、hvpe、磁控溅射、MOCVD技术。二是很难找到合适的衬底,由于inn单晶非常难获得,所以必须得异质外延inn薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶：砷化??磊晶依制程的不同,可分为lpe(液相磊晶)、MOCVD(有机金属气相
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术英文名称；metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD)检索词：汽相外延；薄层外延；晶体生长技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
它生长速率很快(一分钟一微米以上),不能生长量子阱、超晶格等结构材料,在八十年代被MOCVD、mbe等技术淘汰。然而,恰是由于它生长速率快,可以生长氮化镓衬底,这种技术又在“死灰复燃
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生长iii-
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
