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gan基功率led电应力老化早期的退化特性

对ingan/gan多量阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种le

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

表面贴装设备smt概述及选择要求

随着表面贴装技术(smt)的迅速发展,贴片机在我国电组装行业中的应用越来越广泛,它是smt 产品组装生产线中的核心设备,也是smt关键设备,是决定smt 产品组装的自动化程度

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 13:30:06

硅衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外延

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

led芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量效率己有了非常大的改善,如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量效率可达到100%,已接近极

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29

led原料技术之有机发光材料的选用

oled,即有机发光二极管(organic light-emitting diode),又称为有机电激光显示(organic electroluminesence display,

  https://www.alighting.cn/resource/20130222/126023.htm2013/2/22 11:31:57

用于微机电系统的类金刚石膜制备及表征

采用等离体源离注入和电回旋共振-微波等离体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59

氧原对gan光电特性影响研究

gan是优越的iii-v族直接带隙半导体材料,是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一,其在光电领域有着极为重要的应用,已经引起了广泛的研究。gang基光电器件的制备和工

  https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05

氧化对gan基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

可调光市电输入led通用照明解决方案

要替代现有的可调光白炽灯或卤素灯光源,必须实现这样的一个电灯驱动系统,它不仅可以与现有的调光开关一起工作,而且可复制现有光源的调光性能。nxp(智浦)ssl2101 ic可

  https://www.alighting.cn/resource/20130115/126161.htm2013/1/15 16:57:21

oled与pled的区别

有机电激发光技术目前在全世界发展的情况下,依材料的不同大致可分为二种技术,一为发展高分材料为发光层的技术,简称pled,另一为发展小分为发光层材料,简称oled,而oled

  https://www.alighting.cn/2012/12/30 9:50:19

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