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牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

用led实现高亮度超薄背光源的设计方法

近年来随着led产业的发展,led光源在背光应用领域也在不断拓展。本文主要从led直下式背光源的结构特点探讨,如何提高亮度和均匀性,用光学软件模拟了用大功率白光led实现高亮度和均

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125743.htm2013/4/11 11:24:36

景观庭院灯设计图

设计图纸含景观庭院灯剖面图、俯视图、立面图、基础结构图。欢迎下载参考!

  https://www.alighting.cn/resource/20071228/V225.htm2007/12/28 10:39:06

无火花防爆灯具概述

无火花防爆灯具在正常运行条件下,不会点燃周围爆炸性混合物,且一般不会发生有点燃作用的故障,使爆炸性气体混合物与点火源同时存在的危险性降低到允许的程度

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V8756.htm2007/2/8 10:57:28

安森美提供三种拓扑结构的led驱动器方案

常见的led驱动器方案包括线性、电感或电荷泵不同拓扑结构,各有其特点。安森美半导体提供所有这三种类拓扑结构的led驱动器方案,满足用户不同的应用需求。

  https://www.alighting.cn/2013/1/7 11:55:12

功率led中的光学与热学问题

附件是《功率led中的光学与热学问题》,欢迎下载查阅!

  https://www.alighting.cn/resource/2014/3/10/181156_69.htm2014/3/10 18:11:56

现成总线交通信号灯组的设计与实现

讨论一种新的总线智能交通信号灯组的设计与实现技术。

  https://www.alighting.cn/resource/2008229/V373.htm2008/2/29 10:56:40

直管led灯部件的选择 封装是关键

直管led灯的目标是取代办公室等使用的直管荧光灯。松下于2010年12月24日开始供货首款支持日本灯泡工业会规格“jel801:2010”的直管led灯系统。该led灯系

  https://www.alighting.cn/resource/20110713/127430.htm2011/7/13 11:28:31

通用照明电器配件 功率led新器件

led器件的研发起始于上世纪九十年代中后期,超高亮度ingaaip红黄光与ingan蓝绿光器件的研制成功与迅猛发展,为功率器件的开发奠定了基础

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V8777.htm2007/2/8 12:01:04

利用氩气改善pgan led的性能

虽然gan leds的发展相当成功,但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p掺杂

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51

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