站内搜索
led是技术引导型产业，特别是技术与资本密集型的芯片制造业，需要高端的工艺设备提供支撑。但与半导体投资热潮下的“瓶颈”类似，设备研发与产业膨胀仍然存在着速度匹配的问题，尤其是在高端
https://www.alighting.cn/resource/20101111/128228.htm2010/11/11 11:24:34
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
市场上辅助照明灯具的品牌非常多，从进口大品牌到国产品牌甚至无牌产品都能买到。
https://www.alighting.cn/resource/2007712/V9296.htm2007/7/12 10:48:54
以韩国为借镜，政府目前将lcd设备与关键零组件国产化列为产业政策重点项目。
https://www.alighting.cn/resource/20071120/V12895.htm2007/11/20 11:42:39
从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器(dbr) 在发光二极管(led)器件中的发展情况，并对分布dbr 的发展提出了几点研究意见。
https://www.alighting.cn/2014/7/9 15:01:20
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的gan层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)、纳
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高gan 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长gan 薄膜
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
