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简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90～100 lm/w之
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56
目前，逐点校正已经渐渐成为全彩led屏中高端项目招标入围的必备条件。而各大通用控制系统厂商的技术进步和国产专业像素亮度采集设备的出现，也大力推动着逐点校正的产业普及化应用进程。
https://www.alighting.cn/resource/20110810/127328.htm2011/8/10 17:25:57
由于整个竖式led结构采用MOCVD技术生长,这种技术不仅仅决定led的质量和性能,而且在很大程度上决定led制造的产量和成本。因此,MOCVD生产率的优化和营运成本的减
https://www.alighting.cn/resource/20110801/127363.htm2011/8/1 9:44:07
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况，读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22
技术发展迅猛、市场规模日益扩大、水平高低不一，总体实力与国际先进水平相比还存在较大差距，是当前我国大功率led产业现状的真实写照。国产大功率led芯片的封装性能也不例外，本文将
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/17549_58.htm2011/7/21 17:54:09
台湾虽已成世界led生产的重镇，但其主要发光专利仍掌握在日(如nichia)、美(如cree)、欧(如osrams)等大公司的手中。更有甚者，MOCVD生长的led磊晶(如氮化
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
瓷金卤灯的优异性能、陶瓷金卤灯的应用领域、陶瓷金卤灯对节能减排的贡献以及国产陶瓷金卤灯的水平评价和发展趋
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/12/10546_29.htm2011/6/12 10:54:06
及封装环节。其中的心设备有蓝宝石单晶炉、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积设备)等。键的原材料包括高纯氧化铝粉料、金属有机化合物材料、蓝宝石衬底
https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17
