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提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

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  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

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  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

功率型led封装技术的关键工艺分析

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

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  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

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