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gan led量子阱光发射模型

在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

剖析:功率型白光led封装技术、荧光粉技术发展趋势

研究标明,随着温度下降,荧光粉量子效能升高,荧光粉在led封装中的感化在于光色复合。出光减少,辐射波长也会发生变化,从而引起白光led色温、色度的转变,较高的温度还会加速荧光

  https://www.alighting.cn/resource/20110513/127621.htm2011/5/13 10:37:51

简述大功率led在号志灯中的应用

led是一种场致发光光源,其发光原理是在p-n结两端加上正向电压,则p区中空穴会流向n区。而n区中的电子会流向p区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量,其中一部分能量转化为

  https://www.alighting.cn/resource/20100819/127947.htm2010/8/19 11:05:20

浅析:led的热量产生原因

与传统光源一样,半导体发光二极体(led)在工作期间也会产生热量,其多少取决于整体的发光效率。在外加电能量作用下,电子和空穴的辐射复合发生电致发光,在p-n结附近辐射出来的光还

  https://www.alighting.cn/resource/20110114/128083.htm2011/1/14 14:54:46

什么是gan的最佳衬底?

它仍被看成是最有前景的复合型材料,在这个低成本大尺寸平台上制备出高性能器件所需的芯

  https://www.alighting.cn/resource/20101201/128165.htm2010/12/1 15:21:37

led(发光二极)的光学原理

半导体发光二极管利用注入pn结的少数载流子与多数载流子复合,从而发出可见光,是一种直接把电能转化为光能的发光器件。从半导体中得到电致发光。在20世纪60年代中期,首先出现了商用

  https://www.alighting.cn/resource/20051215/128798.htm2005/12/15 0:00:00

4张图解析灯具的近场和远场

传统的分布式光度计都是远场性,即假定被测光源或灯具为点光源,采用单点光度探头做相对球形扫描,获得空间的光强分布数据(lid),在该测试条件下,光源与探头的距离需要足够远以复合

  https://www.alighting.cn/resource/20160112/136317.htm2016/1/12 9:54:59

al-n共掺杂zno电子结构和光学性质

基于密度泛函理论的第一性原理,分析了al-n共掺杂zno的电子结构和光学性质。计算了al-n复合体共掺zno的结合能,发现al-n复合体可以在zno中稳定存在,因此al-n共掺可

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55

钻铜导热板的相关参数与说明

钻铜导热板的相关参数与说明:人造钻石粒以铜渗透制成上下二层金属,中间为钻石的钻铜导热板。这种复合材料不仅热传导率远高于现有的铜、铝散热片,它的热膨胀率更可调整,使其与半导体的芯

  https://www.alighting.cn/resource/2011/4/1/93519_73.htm2011/4/1 9:35:19

具有三角形ingan/gan 多量子阱的高内量子效率的蓝光led

构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子鄄空穴波函数重叠率和低的stark 效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18

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