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我国首台国产led芯片设备mocvd机台下线

模数十亿美元。 中国led外延芯片与封装在规模和品质上都取得了举世瞩目的成就,产品国产化比例显著提升,但关键装备特别是量产型mocvd仍然依靠进口,生产成本居高不下,严重制约著le

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/7/302819.html2012/12/7 20:46:07

我国首台国产led芯片设备mocvd机台下线

模数十亿美元。 中国led外延芯片与封装在规模和品质上都取得了举世瞩目的成就,产品国产化比例显著提升,但关键装备特别是量产型mocvd仍然依靠进口,生产成本居高不下,严重制约著le

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304165.html2012/12/17 19:33:48

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

led多芯片集成功率光源及发展趋势

光粉已实用蓝色ledingan/荧光染料蓝光激发产生蓝绿红三色染料蓝色ledznse外延层出现蓝光,激发衬底出黄光紫外ledingan/荧光粉紫外光激发三基色荧光粉双芯片蓝色led

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230307.html2011/7/19 23:57:00

激光加工改善hb-led芯片效率

激光加工改善hb-led芯片效率   目前,照明工业有一些明显的局限性。白炽灯泡效率很低,灯泡将多达90%能量转变为热能,从灯丝上散发出来。虽然节能灯(又称“紧凑型荧光灯

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00

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