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由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(gan)和铟氮化稼(ingan)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领
https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00
主要规定了氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片的技术要求、检验方法、检验规则、标志的规定、包装、运输和贮存的要求，以及相关工艺和工艺环境的要求等。本标准适用于制备半导体发光二极管的外
https://www.alighting.cn/news/20110729/109464.htm2011/7/29 16:03:22
型n－zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构，研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(gan)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
aixtron近日推出最新产品aix g5+，为其aix g5行星式反应器平台提供5x200 mm(8吋) 矽基氮化镓生长专用设备，可一次处理5片8吋晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20120725/122453.htm2012/7/25 9:45:19
美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布，其位于南韩天安(cheonan)的三甲基镓(tmg)新厂已
https://www.alighting.cn/news/20101104/107836.htm2010/11/4 0:00:00
造商广镓光电（huga optotech）合资成立一家新公
https://www.alighting.cn/news/20090723/117355.htm2009/7/23 0:00:00
台湾led芯片制造商晶元光电（epistar）已宣布，该公司计划与广镓光电（huga optotech）达成战略联盟，并持有其47.88%的股份，以成为第一大股东。
https://www.alighting.cn/news/20100601/118328.htm2010/6/1 0:00:00
