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本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在GaN on GaN技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今GaN o
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
自从yag，氮化物，硅酸盐荧光粉导入半导体封装后，很多新生代的白光工程师对led所用的荧光粉产生了误读，led荧光粉在使用过程中并不存在有大功率小功率荧光粉之分。
https://www.alighting.cn/resource/20131008/125264.htm2013/10/8 13:30:40
在si衬底GaN基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p- n结的i-n特性，即正向导通，反
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22
《led芯片制作》分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28
