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普瑞光电近日宣布，他们已经成功实现了最新的基于硅衬底的led制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。
https://www.alighting.cn/news/20110315/115520.htm2011/3/15 10:26:38
本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件，现在共享与此，提供给大家参考阅读。
https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
随着发光材料与发光技术的不断革新，半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品，尤其是氮化镓基（gan）白光led照明光源体积小、重量轻、方向性
https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00
爱思强股份有限公司8月14日宣布，台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统，将用于在6英寸的硅基材上生长氮化镓外延结
https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41
氮化铟镓(ingan)是蓝光led的关键材料，最近有国际研究团队发表有关氮化铟镓薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制，该研究在今年一月刊载于期刊《physica
https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04
伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色led发光量的制造方法：在led的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻,使led产生绿光，并且在光提取,内部效率和发光量方
https://www.alighting.cn/news/20110509/100509.htm2011/5/9 10:38:49
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种led的反
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
