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delta掺杂技术,提高氮化物led的抗静电能力

中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gan作为n型覆层,显著提高了氮化物led的抗静电能力,这个改善是因为外延gan材料晶体质量的改善和器件电流扩

  https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46

第三代半导体崛起 中国照明能否弯道超车?

近年,以氮化(gan)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目,成为全球半导体研究前沿和热点,中国也不例外地快马加鞭进行部署。

  https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21

台盐氮化铝散热材料于首尔国际发明展中获金牌

台盐新产品氮化铝散热材料在近日举办的韩国首尔国际发明展中,获得科技项产品的金牌。

  https://www.alighting.cn/news/20101206/106391.htm2010/12/6 0:00:00

绿光led突破光效瓶颈 伦斯勒理工学院取得成果

伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色led发光量的制造方法:在led的蓝宝石衬底和氮化层的交界处进行纳米级蚀刻,使led产生绿光,并且在光提取,内部效率和发光量方

  https://www.alighting.cn/news/20110509/100509.htm2011/5/9 10:38:49

“硅基氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化基蓝色发光二极管,处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

德国欧司朗公司开发出高性能蓝白光led原型硅芯片

德国欧司朗公司(osram)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光led 原型硅芯片,氮化发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基

  https://www.alighting.cn/pingce/20120209/122671.htm2012/2/9 10:17:18

半导体照明有望成为节能环保的优质光源

随着发光材料与发光技术的不断革新,半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品,尤其是氮化基(gan)白光led照明光源体积小、重量轻、方向性

  https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00

led芯片现状:衬底材料和晶圆生长技术是关键

目前国内外有很多led芯片厂家,然芯片分类没有统一的标准,国内外芯片技术对比方面,国外芯片技术新,国内芯片重产量不重技术。

  https://www.alighting.cn/news/20140506/87007.htm2014/5/6 13:56:05

氮化紫外和白光led研究的新反应堆

aixtron的硒今天宣布,从现有的客户吉林大学中国新的mocvd系统秩序。合同是1 ccs的1 3x2的-英寸晶圆的配置,这将被专用氮化材料的成长紫外线和白堆指示

  http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/18/286384.html2012/8/18 13:47:06

倒装led能否打破格局走上主流?

众所都知,行业内把氮化led技术的分为三大流派:第一是垂直结构,以科锐与欧司朗为代表,金属衬底的旭明,还有执着于硅衬底的普瑞东芝与晶能,当然还不能忘记很多日本厂商与中村修二先

  https://www.alighting.cn/news/20140620/97540.htm2014/6/20 16:07:08

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