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in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

led广色域投影显示系统实时色域校准的研究

域校准方法。另外,为了避免led一致性差异和环境温度变化及工作时间对led主波长和色品坐标造成的影响,提出利用一组xyz色度传感器实时测量并反馈三基色led色品坐标的方法。该方法通过

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127110.htm2011/9/20 13:45:18

led光源光学粒子计数器的研制

为了提高光学粒子计数器的测量性能,克服白炽灯和激光作光源带来的缺点,研制了一台光学粒子计数器。基于mie散射原理测量粒子的粒径,以发光强度高、发光波长宽的led为光源,具有白炽

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127112.htm2011/9/20 13:26:14

浅析:led外延片介绍及质量辨别

良品的外延片就要开始做电极(p极,n极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测,

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56

gan led量子阱光发射模型

拟结果表明led的光发射效率和波长依赖于有源区in组分变化引起的势能涨落和阱尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

国产大功率led芯片的封装性能

间,但与进口产品相比都还存在较大差距;各个厂家的芯片封装的led光源显色指数高低不一,其主要原因是芯片的峰值波长不同;在性价比方面,国产芯片价格已达到每百流明2元以下,具有较强的竞争

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45

波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

非极性gan用r面蓝宝石衬底

:平均半峰宽值为19.4arcsec;位错密度为5.6×103cm-2,波长大于300nm时的平均透过率大于80%;光学均匀性δn=6.6×10-5;平均表面粗糙度为0.49nm.结

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

led用蓝宝石晶体衬底激光划片工艺

本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20

led技术发展概述

介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从gan基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08

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