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pld制备zno薄膜及非晶纳米棒的结构与性质研究

利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散

  https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44

pld方法制备的zno纳米柱结构及光学特性

采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

在分子外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

sio2/si衬底制备zno薄膜及表征

本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd,se

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47

sic缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

用脉冲激光沉积(pld)技术制备了zno/sic/si和zno/si薄膜并制成了紫外探测器。利用x射线衍射(xrd),光致发光(pl)谱,i-v曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

movpe生长1.3μm无致冷algainas/inp应变补偿量子阱激光器研究

激光

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18

led光源数字全息技术研究

用led的时间相干性较差、相干长度短的特点,抑制相干噪声,改善数字全息重建质量。在同一全息记录系统,通过实验,比较了用激光和led光源的数字全息重建图像质

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127111.htm2011/9/20 13:35:45

led光源光学粒子计数器的研制

为了提高光学粒子计数器的测量性能,克服白炽灯和激光作光源带来的缺点,研制了一台光学粒子计数器。基于mie散射原理测量粒子的粒径,以发光强度高、发光波长宽的led为光源,具有白炽

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127112.htm2011/9/20 13:26:14

浅析:led外延片介绍及质量辨别

良品的外延片就要开始做电极(p极,n极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测,

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56

led白光源用pr~(3+),ce~(3+):yag光纤制备与特性

采用激光加热基座法制备led白光源用pr3+,ce3+:yag单晶光纤荧光材料,对所制备材料的荧光光学特性进行了实验分析结果表明,在pr3+和ce3+共掺发光过程中,pr3+离

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127155.htm2011/9/14 8:52:21

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