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利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
河的一段时间。城市夜景照明的形成却是个动态的过程，好的景观是人们长时间经营、推敲、锤炼出来的。随着城市不断的变化、生长和发展，塑造的城市夜景照明就凝聚成石头的历史、积淀的文化结晶，
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/3/102632_56.htm2013/5/3 10:26:32
d的荧光粉涂覆技术、散热技术以及多晶片封装技术等方面的专利现状,并在此基础上提出了下一阶段大功率led封装可能的发展方
https://www.alighting.cn/2013/4/28 11:17:10
作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方面有
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
3)衬底上生长的algan/gan超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取
https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17
型zno薄膜,n型zno薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,p型zno薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的zno薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型zn
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的ⅱ型inas/gasb超晶格材料,在77k下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
