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外企预测:2013年氮化设备市场将稳健成长

美国市场调研公司strategies unlimited 最新发布的一项报告显示,由于市场上对蓝紫色激光二极管、uv led和其它设备的需求日益增长,这将使得先进衬底技术。

  https://www.alighting.cn/news/20090602/104761.htm2009/6/2 0:00:00

普瑞光电推出新型氮化硅衬底led制造技术

普瑞光电近日宣布,他们已经成功实现了最新的于硅衬底的led制造技术研发成果。该技术主要使用成本较低的硅来取代目前使用的更昂贵的制造材料。

  https://www.alighting.cn/news/20110315/115520.htm2011/3/15 10:26:38

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化研究

采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面gan,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发光

  https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33

非极性和半极性面氮化物材料和器件生长

本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件,现在共享与此,提供给大家参考阅读。

  https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45

mocvd生长gan蓝光led外延片的研究

ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层量与氨量的化学计量

  https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18

半导体照明有望成为节能环保的优质光源

随着发光材料与发光技术的不断革新,半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品,尤其是氮化(gan)白光led照明光源体积小、重量轻、方向性

  https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00

台湾中央大学采用爱思强mocvd,用于6英寸硅氮化外延生长

爱思强股份有限公司8月14日宣布,台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统,将用于在6英寸的硅材上生长氮化外延结

  https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41

最新研究:ingan量子井在led的局限性

氮化(ingan)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04

绿光led突破光效瓶颈 伦斯勒理工学院取得成果

伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色led发光量的制造方法:在led的蓝宝石衬底和氮化层的交界处进行纳米级蚀刻,使led产生绿光,并且在光提取,内部效率和发光量方

  https://www.alighting.cn/news/20110509/100509.htm2011/5/9 10:38:49

氮化衬底及其生产技术

氮化衬底用于氮化生长的最理想的衬底自然是氮化单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

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