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大功率LED芯片进步神速,晶能光电融资扩产

记者从南昌高新区政府获悉,晶能光电新一期扩产融资款已经到账。自2012年6月晶能光电于全球率先宣布实现大功率LED芯片量产以来,其产品性能提升突飞猛进,光效由最初发布的12

  https://www.alighting.cn/news/20130513/112701.htm2013/5/13 13:30:49

牺牲ni退火对衬底gan发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在衬底发光二极管(LED)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

衬底ganLED研究进展

由于具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

倒装LED能否打破格局走上主流?

众所都知,行业内把氮化LED技术的分为三大流派:第一是垂直结构,以科锐与欧司朗为代表,金属衬底的旭明,还有执着于衬底的普瑞东芝与晶能,当然还不能忘记很多日本厂商与中村修二先

  https://www.alighting.cn/news/20140620/97540.htm2014/6/20 16:07:08

LED照明市场高速发展 长期利好金属

近年来,随着LED产业的发展,氮化的消费也不断增加。氮化的消费在金属的最终消费中占据越来越重要的位置。

  https://www.alighting.cn/news/20141011/n305966294.htm2014/10/11 14:53:25

半导体照明国家工程中心落户南昌高新区

近日,依托南昌大学、晶能光电的国家半导体照明工程技术研究中心获科技部批准组建。该中心组建期为3年,将获得国家拨款1400万元。至此,江西省国家工程技术研究中心增至5家。

  https://www.alighting.cn/news/20110331/100815.htm2011/3/31 9:22:45

氮化铝薄膜改善LED散热性能的研究

研究了氮化铝薄膜对 LED 灯散热情况的影响,并与导热脂(ks609)涂层的散热效果进行了比较, 结果表明:导热涂层能加强 LED 的散热,氮化铝薄膜散热效果优于导热脂;对红

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125968.htm2013/3/4 13:53:37

东京都市大学制作出嵌入锗量子点的LED

东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的发光元件,并在室温下确认了于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激

  https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00

普瑞光电:固态照明矽LED磊晶新技术

台积电旗下创投vtaf公司投资的美国LED大厂普瑞光电于3月25日宣布,该公司运用“氮化上矽”(gan-on-silicon)的LED技术,已达成每瓦135流明之效能。这代表普

  https://www.alighting.cn/news/20110329/116855.htm2011/3/29 11:33:52

陶氏化学于韩国天安设的三甲新厂动工兴建

美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布,其位于南韩天安(cheonan)的三甲(tmg)新厂已

  https://www.alighting.cn/news/20101105/117936.htm2010/11/5 9:56:31

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