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韩国三星电子（samsung electronics）开发出了使用单晶硅tft的2.4英寸qvga主动矩阵型有机el面板，并在“sid 2007”上发表了制造技术的详细情况。提
https://www.alighting.cn/resource/20070529/128502.htm2007/5/29 0:00:00
°c时约为25w/(m-k))，为了改善衬底的散热，cree公司采用碳化硅硅衬底，它的导热性能(490w/(m-k))要比蓝宝石高将近20倍。而且蓝宝石要使用银胶固晶，而银胶的导
https://www.alighting.cn/resource/20140526/124550.htm2014/5/26 11:11:04
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
基板的选择中，氧化铝(al2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
以氧化铝及硅作为led集成封装基板材料的热阻比较分析，详细说明这些材料做的热阻的导热性和绝缘性，以及导致的问题对led光源性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/5/11218_46.htm2011/1/5 11:21:08
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近
https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58
从目前实验的结果来看，晶片对光衰的影响分为两大类：第一是晶片的材质不同导致衰减不同，目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结构设计为单电极，其导热效果比较好，蓝宝
https://www.alighting.cn/2014/10/13 14:02:58
1907年henry joseph round第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用;更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研究被摒
https://www.alighting.cn/resource/20110304/127919.htm2011/3/4 17:28:10
