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附件为《硅衬底gan基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案，以及提出新的发光材料。为此，本文除简要描述半导体照明上游产
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57
n衬底材料工艺对发展gan半导体器件产业至关重要
https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)塑料上的氧化铟锡(ito)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
以下展示的是使用cgsim软件对泡生法生长无色蓝宝石晶体的数值模拟结果。其中采用的独特的计算方法包括：在结晶区的计算涉及到蓝宝石熔体的湍流、气体的层流、在半透明晶体的辐射换热，包
https://www.alighting.cn/resource/20110813/127318.htm2011/8/13 13:50:43
