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今年的台北光电周邀请到蓝光led技术突破先驱的中村修二，针对最新的蓝光led与ld技术发展发表演讲，并与会议主持人-台湾清华大学光电所所长刘容生、飞利浦照明fran
https://www.alighting.cn/resource/20070612/128508.htm2007/6/12 0:00:00
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
晶片固晶是led 封装的重要环节，固晶材料的热传导性能对led 的散热能力有相当的影响，功率型led 封装更为明显。本文使用固晶锡膏es1000 和高导热固晶银胶进行封装对比，对
https://www.alighting.cn/2013/11/19 13:58:41
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-x
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
https://www.alighting.cn/resource/20130801/125427.htm2013/8/1 15:47:37
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
目。本文分析了现有的贴片式(即smd)led三晶rgb白光的显色指数及在此基础上改进封装结构提高白灯显色指数的做
https://www.alighting.cn/resource/20110527/127537.htm2011/5/27 20:15:00
世晶绿能团队于研发之初，就先承认高功率led之高热问题，扬弃smd接脚之狭小面积，也不满足于cob之底部接触，开发更大接触面积之解决方案，现有与散热有关之核心发明专利有圆弧平底凹
https://www.alighting.cn/resource/20120712/126523.htm2012/7/12 10:21:50
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散射模
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
