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结果表明：ingan基白光led蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。
https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
该篇文章主要介绍了led光源驱动设计及周边器件的选择，主要有驱动ic的选择，电感选择，emc电感的选择，输出电容的选择，输入电容器的选择，肖特基二极管的选择，led恒流驱动器
https://www.alighting.cn/resource/2010820/V1154.htm2010/8/20 16:08:28
板工作时温度、光效和电流的关系，并与铝基覆铜板作为封装基板时进行了比
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125920.htm2013/3/11 10:11:24
该文采用聚乙烯基咔唑(pvk)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(alq3)作为发光层,制备了结构为ito/pvk(0～60nm)/alq3(60nm)/mg:ag/al的有机发光二
https://www.alighting.cn/2013/6/5 14:40:41
该项目地处芬兰首都赫尔辛基，北纬60°，东经25°。海洋性气候特征显著，高纬度的地理特性带来较低的太阳高度角和寒冷的气温：全年平均气温只有5摄氏度;冬夏日照时长相差极大——“北
https://www.alighting.cn/resource/20160714/141883.htm2016/7/14 10:16:13
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射，耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高gan基蓝光le
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
为求解硅基热沉大功率led封装阵列在典型工作模式下的热传导情况，采用solidworks建立了2x2封装阵列的三围模型，模拟了其温度场分布，同时结合传热学基本原理分析计算了模型各
https://www.alighting.cn/resource/20140617/124506.htm2014/6/17 11:53:43
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
