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外延改善led芯片esd性能的方法

esd耐受电压是反映led芯片性能的一项重要指标,可用于评估led在封装和应用过程中可能被静电损坏的几率,是目前led研究和研发的前沿问题之一。本文分析了晶体质量及芯片结构对le

  https://www.alighting.cn/2013/3/29 9:56:19

si基外延gan中缺陷的腐蚀研究

本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降

  https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08

开关电源基本工作原理

顾名思义,开关电源就是利用电子开关器件(如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等),通过控制电路,使电子开关器件不停地“接通”和“关断”,让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制,从而实

  https://www.alighting.cn/resource/20120419/126602.htm2012/4/19 11:01:13

mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

led蓝宝石基板介绍

蓝宝石的组成为氧化铝(al2o3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有a-plane,c-plane及r-plane.由

  https://www.alighting.cn/2011/9/22 15:43:12

aln缓冲层对algan表面形貌的影响

使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

aln/蓝宝石模板上生长的gan研究

板的晶体质量和表面相貌对gan的影响

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11

蓝宝石市场现状及生长方法介绍

蓝宝石市场前景广阔,但目前生产大尺寸蓝宝石晶体技术主要被俄罗斯和欧美企业垄断。据统计,目前全球70%的蓝宝石衬底由俄罗斯企业提供,另外30%由美国和欧洲掌控。国内尚未形成产业化生

  https://www.alighting.cn/resource/20110813/127320.htm2011/8/13 12:02:32

蓝宝石图形衬底上生长gan的微区拉曼光谱研究

征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55

gan基材的3种特性

gan是极稳定、坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,gan具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,gan晶体一般是六方纤锌矿结构。

  https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54

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