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光通量提高至约1.4倍的光子晶体GaNLED

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaNLED,并在“alps show 2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7n

  https://www.alighting.cn/resource/20081004/128618.htm2008/10/4 0:00:00

东芝推出硅氮化镓白色LED产品

近日,东芝公司宣布推出采用硅氮化镓(GaN-on-si)制程打造的白色LED产品。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130801/121752.htm2013/8/1 10:43:48

GaN同质外延和竖直结构大功率LED

北京大学的张国义整理的关于《GaN同质外延和竖直结构大功率LED》的技术资料,分享给大家。

  https://www.alighting.cn/resource/20130226/126001.htm2013/2/26 11:28:48

三菱化学拟扩增LEDGaN板产能至2倍

因照明用LED需求大增,三菱化学(mitsubishi chemical)计划于2014年初将LED用氮化镓(GaN)板产能扩增至现行的2-3倍,以藉此满足顾客端强劲的需求。

  https://www.alighting.cn/news/20130311/112791.htm2013/3/11 10:34:23

日本发表使用氧化镓板的GaNLED元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓板的GaNLED元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

LED需求大增 三菱化学扩大GaN板产能

现在正在进行扩建施工,新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN板的原因是,用于照明和汽车头灯等的高功率LED的需求扩大。

  https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53

激光剥离技术实现垂直结构GaN LED

为改善GaN 发光二极管( light??emitting diode, LED) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49

si衬底GaN蓝光LED钝化增透膜研究

在si衬底GaN 蓝光LED 芯片上生长了一层sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。

  https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30

2012年GaN LED市场将逐步回暖

ims research最新一季氮化镓LED供求报告结果显示2011年GaN LED封装收入比去年减少6%,预计GaN LED市场在2012年至2015年期间会逐步回暖,并且由

  https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54

人体模式静电对GaN 蓝光LED载流子运动及其可靠性的影响

静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的LED 性能退化。

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34

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