站内搜索
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。
https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09
因照明用led需求大增，三菱化学计划在2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。目前，三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产GaN基板，生产的产品直径为
https://www.alighting.cn/news/2013311/n055549523.htm2013/3/11 9:11:27
bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上， GaN基材料和器件成为讨论的热点。
https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00
验室中成功生长出来的六方晶体结构，或称作纤维锌矿结
https://www.alighting.cn/news/20140421/97972.htm2014/4/21 11:33:31
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
现在正在进行扩建施工，新的生产线计划在2015年内投入运转。三菱化学增产GaN基板的原因是，用于照明和汽车头灯等的高功率led的需求扩大。
https://www.alighting.cn/news/20150702/130568.htm2015/7/2 9:18:53
