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美国rubicon 出售40万片6英寸蓝宝石晶圆

寸的蓝宝石晶

  https://www.alighting.cn/news/20130201/112496.htm2013/2/1 10:34:03

GaN基蓝光led关键技术进展

本文首先综述了GaN基材料的基本特性,分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延,p型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21

GaN及alGaN薄膜透射光谱的研究

利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06

三菱化学拟扩增led用GaN基板产能

因照明用led需求大增,三菱化学计划在2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。目前,三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产GaN基板,生产的产品直径为

  https://www.alighting.cn/news/2013311/n055549523.htm2013/3/11 9:11:27

三星康宁展示1到6英寸的GaN基板

scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。

  https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09

bridgelux募集6000万美元用于GaN外延技术研发

bridgelux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。

  https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

量子点和GaN成十二届movpe会议热点

在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上, GaN基材料和器件成为讨论的热点。

  https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00

晶圆键合:选择合适的工艺来制造大功率垂直led

具有垂直结构的发光二极管(led)在固态照明产品应用中是非常有前景的一种器件,因为它们可以承受大的驱动电流来提供高的光输出强度。制造这种形式的led 需要采用晶圆- 晶圆间的键

  https://www.alighting.cn/resource/20111202/126822.htm2011/12/2 17:59:24

中美矽晶收购日亏损晶圆厂 实现获得产能方案

日本covalent materials公司是由东芝陶瓷于2006年通过mbo收购而来。该公司于2012年3月底将连续营业亏损、业绩陷入困境的硅晶圆业务(covalen

  https://www.alighting.cn/news/20121206/112655.htm2012/12/6 10:00:33

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