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今日，英飞凌科技股份公司(fse代码：ifx / otcqx代码：ifnny)已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫
https://www.alighting.cn/news/2013225/n091249170.htm2013/2/25 13:18:18
英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌coolmos?家族产品，得到了第一批客
https://www.alighting.cn/news/20130225/113276.htm2013/2/25 14:59:41
关闭会津晶圆厂预计会淘汰目前会津厂约197个全职及94个合约职位。会津厂的所有产品将预计在2012年年初之前完成全部生产转移。安森美半导体团队将与生产产品来自会津厂的客户紧密合
https://www.alighting.cn/news/20111019/114370.htm2011/10/19 10:02:10
全球领先的半导体供应商意法半导体宣布，全球首款未使用任何接触式探针完成裸片全部测试的半导体晶圆研制成功。这种测试方法拥有更高的良率、更短的测试时间以及更低的产品成本等潜在优势。此
https://www.alighting.cn/news/20111221/114519.htm2011/12/21 15:38:32
led制造商cree放缓了向较大晶圆制造转移的步伐，目的是为了保持更高的工厂利用率及盈利水平。虽然led照明市场不断壮大，但仍然处于发展初期，供应链中led芯片的过剩抑制了整体需
https://www.alighting.cn/news/201226/n098834796.htm2012/2/6 10:01:19
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
因照明用led需求大增，三菱化学计划在2014年初将led用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。目前，三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产GaN基板，生产的产品直径为
https://www.alighting.cn/news/2013311/n055549523.htm2013/3/11 9:11:27
scpm公司正在将GaN基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用GaN基板。
https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09
bridgelux新近募集6000万美元，声明将攻关关键核心技术，如si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术，以继续拓展其在固态照明市场中的地位。
https://www.alighting.cn/news/20110808/115930.htm2011/8/8 10:40:54
