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采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型GaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将GaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。
https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00
附件为《硅衬底GaN基垂直结构高效led的最新进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20150626/130459.htm2015/6/26 10:43:40
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
本文通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。
https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
