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尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。这也意味着硅衬底的技术瓶颈几近突
https://www.alighting.cn/special/20160108/index.html2016/1/8 16:06:29
尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑，硅衬底led技术终于迈向了新征程，
https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02
2015年度国家科学技术奖颁奖典礼拟于本周五在北京人民大会堂举行。江西省上报的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目有望斩获技术发明一等奖。该技术发明正在撑起江西省千亿le
https://www.alighting.cn/news/20160108/136185.htm2016/1/8 9:55:45
以下对功率型GaN基led光电器件覆晶倒装焊产业技术进行研究，介绍led光电的发展历程、产品应用、研究方法、技术路线以及解决的关键问题。
https://www.alighting.cn/resource/20160106/136049.htm2016/1/6 14:02:39
新世纪董事长钟宽仁表示，2017年日亚化的白光led专利解禁，led产业的专利竞争将进入全新时代，覆晶封装、晶圆级封装(csp)将成为主要战场，日亚化、新世纪是目前唯二两家可稳
https://www.alighting.cn/news/20160105/135932.htm2016/1/5 9:41:50
近年，以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
近日记者获悉，2015年度国家科学技术发明一等奖有望花落“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目。
https://www.alighting.cn/news/20151229/135757.htm2015/12/29 9:39:53
晶元光电氮化镓(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化镓(GaN-on-si)的技术授权后，晶元光电即将于近期投产GaN-on-s
https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23
历经过去几年惨烈价格战，led厂商纷纷寻求新市场并改变策略。晶电研发中心副总经理谢明勋在2015年ledforum演讲中表示，晶电选择切入利基市场，聚焦氮化镓功率元件(ga
https://www.alighting.cn/news/20151103/133844.htm2015/11/3 9:26:56
据报道，美国公司soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作，共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)led制造工厂。据悉，新工厂将雇
https://www.alighting.cn/news/20151102/133806.htm2015/11/2 10:00:54
