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用GaN制造的蓝光led。蓝光led的开发使得有较宽光谱宽度的白光led研制成为可能。 目前，白光led通常是将GaN的蓝色led和钇铝石榴石荧光粉相结合，或者用红光led、绿
http://blog.alighting.cn/1062/archive/2007/11/26/8309.html2007/11/26 19:28:00
在led应用方面已经进行的研究包括： l 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题； l 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系统的设计问题，采用边缘光线二维补偿设计方法，解
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2009/2/19/9691.html2009/2/19 12:02:00
管一直处在研发阶段。传统的GaN基绿色雷射器不能实现足够的亮度和波长，只能达到几十毫瓦的输出功率，波长则为520纳米或更低。为克服这些挑战，住友电工与索尼合作发展一个真正的绿色半导
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/6/27/280011.html2012/6/27 8:52:26
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282509.html2012/7/19 10:34:30
于加速led大规模进入普通照明的进程。更有专家断言垂直结构GaN基led是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势，必将逐步成为主流产品。 近年来cree、osram、philip
http://blog.alighting.cn/infiled/archive/2012/8/27/287432.html2012/8/27 11:19:56
现缺陷、裂纹、晶片弯曲等。衬底的质量直接影响着外延层的晶体质量，从而影响光效和寿命。如果采用GaN同质衬底进行外延生长，利用非极性技术，可最大限度地减少活性层的缺陷，使得led芯
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将 GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm，wd=3
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2013/8/5/322854.html2013/8/5 17:00:54
度降低缺陷密度。采用非极性衬底生长led，可作显示屏、电视、手机等背光源，没有取向性，不要外置扩散片。采用半极性、非极性蓝宝石和GaN衬底生长led的核心技术，已取得突破性进
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
镓（inGaN ）led电容（capacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型GaN薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
