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源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279535.html2012/6/20 23:07:24
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
侧，正面射出的光部分将被接触电极所吸收和键合引线遮挡。造成光吸收更主要的因素是p型GaN层电导率较低，为满足电流扩展的要求，覆盖于外延层表面大部分的半透明niau欧姆接触层的厚度应大
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
车后部的高位刹车灯，90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年，日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后，世界上结束了没有原色蓝光的历史，在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
等。对于儿童和部分光辐射敏感人群，由于眼晴结构中各部分的光学特性的差异以及对光损伤的敏感性的不同，安全阈值仍在进一步规范之中(见图1)。 目前，GaN蓝光led及其涂荧光粉的白光
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279349.html2012/6/20 14:32:33
圆，需要大量低效耗时的生产阶段，比如将GaN薄膜从蓝宝石衬底上移开的激光剥离步骤。 一些硅衬底氮化镓方法持有怀疑的人则认为，在高温mocvd沉积过程中，由于两个晶体之间固有的晶格不匹
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
来，日本“21世纪光计划”、美国“下一代照明计划”、欧盟“彩虹计划”、韩国“GaN半导体发光计划”等政府措施纷纷出台。欧盟、加拿大、澳大利亚和美国等分别将从2009、2010和202
http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32
1,cree著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/18/278893.html2012/6/18 9:44:56
l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性与尺
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
