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led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
2007年4月11日，aixtron ag 宣布三星电机(semco)一月份再订其两台aix 2600g3ht mocvd系统用以生产高亮(hb)蓝、白光GaN led，两台工具
https://www.alighting.cn/news/20070412/117119.htm2007/4/12 0:00:00
据aixtron报道，昨日宣布收到来自上海蓝光新的mocvd设备订单，四套配置是crius® 31x2英寸 mocvd，用于生产高亮GaN led。据悉，这是上海蓝光在今
https://www.alighting.cn/news/20100826/117401.htm2010/8/26 0:00:00
日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件，08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中，发光波长最长。
https://www.alighting.cn/news/20080125/118964.htm2008/1/25 0:00:00
近日，aixtron宣布同方订购两套aix2800g4ht42x2英寸mocvd沉积系统，这是在年初下的订单，已在今年q3完成交付。据了解，设备用来生产GaN超亮蓝光led的生
https://www.alighting.cn/news/20101014/119693.htm2010/10/14 0:00:00
业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有GaN基蓝、绿光led、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优
https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00
GaN led市场中，照明的份额预计会从2011年的21%升为2016年的49%；照明led收入预计增长超过300%。
https://www.alighting.cn/news/201221/n074637204.htm2012/2/1 9:55:47
日本丰田合成公司在3英寸的蓝宝石底板上形成了非极性面(m面)GaN结晶，成功采用该结晶实现了led的发光。
https://www.alighting.cn/news/2009118/V21611.htm2009/11/8 15:51:41
