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测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump，焊接后的GaN 基绿光led 在350 ma 工作电流下正向电压为3.0 v。将热超声倒装焊接技术用于制
https://www.alighting.cn/resource/20150302/123551.htm2015/3/2 11:34:51
对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
对GaN基白光二极管(led)分别施加-1600、-1200、-800、-400、400、800、1200和1600v静电打击，每次静电打击后，测量led电学参数和光学参数的变化。
https://www.alighting.cn/2015/2/13 11:12:42
尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究，GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高，但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
产的高科技企业。公司硅衬底led芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基led器件，结合了具有自主知识产权的高效GaN外延技术和芯片技术，是目前全球唯一可以量产硅衬
http://blog.alighting.cn/207028/archive/2015/2/6/365492.html2015/2/6 10:18:24
本文详细介绍了led芯片的相关知识，有兴趣的同学可以跟着小编的脚步一起学习噢！
https://www.alighting.cn/resource/20150202/123650.htm2015/2/2 15:02:27
采用440nm短波长inGaN/GaN基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led，研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55
蓝色led和蓝紫色半导体激光器用基板有望采用铝镁酸钪(scalmgo4，通称：scam)。scam的特点是，与GaN的晶格失配度只有1.8%，便于抑制位错等结晶缺陷。与采用蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20150120/97572.htm2015/1/20 17:23:49
ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低，导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近，mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝光
https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40
