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王江波也指出了ingam基led芯片技术研究重点与挑战，主要表现在减弱或消除droop效应、提高提取效率、绿光led效率提升等三个方面。
https://www.alighting.cn/news/20140610/87370.htm2014/6/10 11:11:44
本文为台湾新世纪InGaN led chips (12×12) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127381.htm2011/7/28 16:45:26
求。vlhw4100使用超亮InGaN技术，在20ma电流下的发光强度为4500mcd至11250mc
https://www.alighting.cn/pingce/20100902/122989.htm2010/9/2 11:37:07
用InGaN蓝光照明与yag荧光粉制造自然白光照明 the fabrication of white 照明 using InGaN blue 照明 and ya
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/30/46667.html2010/5/30 6:33:00
美国光学学会的研究人员利用奈米材料制作出白光led，发光效能达每瓦105流明，写下新纪录。
https://www.alighting.cn/news/20180717/157668.htm2018/7/17 9:23:03
过去10年，液晶技术成为显示领域的唯一主宰，未来10年，被誉为次时代显示技术的oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)理应取缔液晶技术，
https://www.alighting.cn/resource/20150209/123612.htm2015/2/9 11:42:57
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流经过，电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子。
https://www.alighting.cn/resource/20130217/126063.htm2013/2/17 13:54:15
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于led的pn结作为杂质半导体，存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
在夏威夷毛伊岛举行的第十二届movpe大会上， gan基材料和器件成为讨论的热点。
https://www.alighting.cn/news/20040927/102750.htm2004/9/27 0:00:00
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用InGaN的led在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。
https://www.alighting.cn/news/200932/V18927.htm2009/3/2 10:40:12
