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利用低压化学气相淀积工艺在6h-sic衬底成功制备了sicge薄膜。通过光致发光(pl)谱研究了生长温度对sicge薄膜发光特性的影响。结果表明:生长温度为980,103
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容:lain-aigan-gan,研究动机,材料的生长和表征;gan-ingan材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽gan模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
提高内量子效率要从LED的制造材料、pn结外延生长工艺以及LED发光层的出光方式上加以研究才可能提高LED的nint,这方面经过科技界的不懈努力,已有显着提高,从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光LED外延片。通过实验,对两片样品外延片进行了分析和测试,发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
从此“光洗墙”的设计手法被沿用至今,灯带暗藏在吊顶、墙面或地面以勾勒空间的轮廓也成为设计师们最喜欢运用的灯光手法之一。到底大师们,是怎么利用灯带“凹”出国际范的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20160922/144405.htm2016/9/22 9:58:13
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光LED 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44