站内搜索
作为第三代宽禁带半导体材料,SiC和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。SiC具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
按照led上游材料制备所用的衬底划分，目前已实现产业化的有三种技术路线，即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。而硅衬底上gan基led专利技术为我国拥
https://www.alighting.cn/news/20111114/n580235699.htm2011/11/14 9:49:03
生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6h SiC单晶薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“icscrm 2013”于日本宫崎县举行。多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～10
https://www.alighting.cn/news/20131009/111759.htm2013/10/9 16:50:25
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向ev/hev车和工业设备的变频驱动，开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂，世界首
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122747.htm2011/11/18 16:21:16
与碳化硅(SiC)产品长期的效能表现有帮助。不过cree认为，在2008年底之前，该项技术还不会进入全面商业化的阶
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
l(apei)公司联合开发出搭载了SiC沟槽mos的高速、大电流模块“apei ht2000”。该模块一改传统的si模块的设计，大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17
评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“kamome-pj”有两大目的：一是试制水冷式SiC功率模块。据介绍，采用由康奈可(calsonic kansei)设计的铝压
https://www.alighting.cn/news/20110914/100259.htm2011/9/14 10:31:46
继美国cree之后的第二大SiC底板厂商何时出现?这是SiC半导体市场形成的关键”——众多SiC半导体的组件技术人员都这么认为。因为只要cree独霸市场的状态持续，底板价格就很
https://www.alighting.cn/news/20071024/120265.htm2007/10/24 0:00:00
电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
